IT之家 8 月 11 日消息，根据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日的现场采访报道，来自三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 박창민 (Park Chang Min) 表示，该企业计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。
박창민在首尔举行的 NGL 2026 学术会议上表示，对于 2nm 的 SF2 和 1.4nm 的 SF1.4 两个近期节点来说，High NA EUV 光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在 1nm 级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。
考虑到三星晶圆代工此前将 2029 年设定为 SF1.4 的量产时点并计划在 2030 年推出改进型 SF1.4+，其 1nm 节点最快也要到 2030 年才会推出。
박창민 也提到：“在 1.4nm 及 1nm 工艺阶段，基于 0.33 NA (Low NA) EUV 的光刻多重曝光技术将成为主流。我认为此后的新一代工艺将以 High NA 光刻技术为主。”
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